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熱油試驗箱 技術(shù)參數(shù):
型號 | SE-EN6033 | SE-EN5033 |
工作室容積(L ) | 2.6 | 4.5 |
試料和尺寸(cm) | 1.2×1.2×1.8 | 1.5×1.5×2 |
液槽內(nèi)尺寸(cm) | 195×108×155 | 260×128×195 |
高溫液槽溫度范圍 | +70℃~+300℃ | |
低溫液槽溫度范圍 | -80℃~0℃ | |
液態(tài)沖擊溫度 | -65℃~0℃/+70℃+280℃ | |
液槽轉(zhuǎn)換時間 | ≤10s | |
控制點溫度恢復(fù)時間 | ≤5min | |
溫度波動度 | ±0.5℃~±1.0 | |
溫度均勻度 | ±0.5℃~±2.0 | |
溫度偏差 | ±0.5℃~±2.0 | |
工作方式 | 自動機(jī)械懸架上下左右移動至高低溫液槽 | |
外殼材料 | 電解板噴粉 | |
內(nèi)膽材料 | SUS316 | |
保溫材料 | 聚胺脂泡沫 | |
制冷機(jī)組 | 半封閉制冷機(jī)組 | |
冷卻方式 | 水冷 | |
安全裝置 | 超溫保護(hù) 壓縮機(jī)缺油/超壓/超載保護(hù) 風(fēng)機(jī)超載保護(hù) 電源故障保護(hù) 加熱器短路保護(hù) | |
選配件 | 遠(yuǎn)程監(jiān)控計算機(jī)及軟件 打印機(jī) 增加的擱板 特殊的試樣架 | |
液態(tài)沖擊試驗箱執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) | GJB 150-86 GB 2423-22 MIL-STD-883 MIL-STD-202F |
許多行業(yè)都需要能夠在高溫等惡劣環(huán)境下可靠工作的電子設(shè)備。依照傳統(tǒng)做法,在設(shè)計需要在常溫范圍之外工作的電子設(shè)備時,工程師必須采用主動或被動冷卻技術(shù),但某些應(yīng)用可能無法進(jìn)行冷卻,或是電子設(shè)備在高溫下工作時更為有利,可提升系統(tǒng)可靠性或降低成本。這便提出了影響電子系統(tǒng)方方面面的諸多挑戰(zhàn),包括硅、封裝、認(rèn)證方法和設(shè)計技術(shù)。
高溫應(yīng)用
古老以及目前大的高溫電子設(shè)備(>150°C)應(yīng)用領(lǐng)域是地下石油和天然氣行業(yè)。在該應(yīng)用中,工作溫度和地下井深成函數(shù)關(guān)系。地?zé)崽荻纫话銥?5°C/km深度,某些地區(qū)更大。
過去,鉆探作業(yè)Highest在150°C至175°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行,然而,由于地下易鉆探自然資源儲備的減少和技術(shù)進(jìn)步,行業(yè)的鉆探深度開始加深,同時也開始在地?zé)崽荻容^高的地區(qū)進(jìn)行鉆探。這些惡劣的地下井溫度超過200°C,壓力超過25 kpsi。主動冷卻技術(shù)在這種惡劣環(huán)境下不太現(xiàn)實,被動冷卻技術(shù)在發(fā)熱不限于電子設(shè)備時也不太有效。
地下鉆探行業(yè)中高溫電子設(shè)備的應(yīng)用十分復(fù)雜。首先,在鉆探作業(yè)過程中,電子設(shè)備和傳感器會引導(dǎo)鉆探設(shè)備并監(jiān)控其狀態(tài)是否正常。隨著定向鉆探技術(shù)的出現(xiàn),高溫地質(zhì)導(dǎo)向儀器必須將鉆孔位置引導(dǎo)至地質(zhì)目標(biāo)。
鉆孔時或鉆孔剛結(jié)束時,精密的井下儀器會收集周圍的地質(zhì)構(gòu)造數(shù)據(jù)。這種做法稱為測井可以測量電阻率、放射性、聲音傳播時間、磁共振和其他屬性,以便確定地質(zhì)構(gòu)造特性,如巖性、孔隙度、滲透率,以及水/烴飽和度。通過這些數(shù)據(jù),地質(zhì)學(xué)家可以從構(gòu)造上對巖石類型進(jìn)行判斷,還可以判斷存在的流體類型及其位置,以及含流體區(qū)域能否提取出足夠數(shù)量的碳?xì)浠衔铩?/span>
后,在完成和生產(chǎn)階段,電子系統(tǒng)會監(jiān)控壓力、溫度、振動和多相位流動,并主動控制閥門。要滿足這些需求,需要有一個完整的高性能組件信號鏈。系統(tǒng)可靠性是重要的因素,因為設(shè)備故障會造成*的停機(jī)成本。在地下數(shù)英里作業(yè)的鉆柱如果出現(xiàn)電子組件故障,需要一天以上的時間來檢修及更換,操作復(fù)雜深水海上鉆井平臺每天大約需要花費(fèi)100萬美元!
其他應(yīng)用領(lǐng)域:除了石油和天然氣行業(yè)外,航空電子等其他應(yīng)用對高溫電子器件的需求也日漸增多。如今,航空業(yè)正日益向“多電子飛機(jī)”(MEA)的趨勢發(fā)展。這一方案一方面是為了用分布式控制系統(tǒng)取代傳統(tǒng)集中式發(fā)動機(jī)控制器。1集中式控制需要采用由數(shù)百個導(dǎo)體和多個連接器接口組成的龐大重型線束。分布式控制方案則將發(fā)動機(jī)控制系統(tǒng)放置在離發(fā)動機(jī)較近的地方,將互連的復(fù)雜性降低了10倍,使飛機(jī)的重量減輕了數(shù)百磅,2同時增加了系統(tǒng)可靠性(估計值在某種程度上與連接器引腳數(shù)成函數(shù)關(guān)系(根據(jù)MIL-HDBK-217F計算)。
但是,代價是發(fā)動機(jī)附近的環(huán)境溫度會上升(–55°C至+200°C)。雖然該應(yīng)用中電子設(shè)備可以進(jìn)行冷卻,但依然會產(chǎn)生不利影響,原因有二:首先,冷卻會增加飛機(jī)的成本和重量,其次(也是重要的一點),冷卻系統(tǒng)故障會導(dǎo)致控制關(guān)鍵系統(tǒng)的電子設(shè)備出現(xiàn)故障。
MEA方案另一方面是要用電力電子和電子控制取代液壓系統(tǒng),以提升可靠性,減少維護(hù)成本。理想狀態(tài)下,控制電子設(shè)備必須離執(zhí)行器很近,這也會產(chǎn)生較高的環(huán)境溫度。
汽車業(yè)提供了采用高溫電子設(shè)備的另一種新興應(yīng)用。和航空電子一樣,汽車業(yè)也在從純機(jī)械和液壓系統(tǒng)向機(jī)電一體化系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。4這就需要有離熱源更近的定位傳感器、信號調(diào)理,以及控制電子設(shè)備。
Highest溫度和暴露時間依車輛類型和車輛中電子器件的位置而定。例如,高集成的電氣和機(jī)械系統(tǒng)(如變速箱配置和變速箱控制器),可以簡化汽車子系統(tǒng)的生產(chǎn)、測試和維護(hù)過程。5電氣車輛和混合電動車需要高能量密度的電子設(shè)備,用作轉(zhuǎn)換器,電機(jī)控制,充電電路這些和高溫相關(guān)的部分。
使用超出數(shù)據(jù)手冊溫度規(guī)格的IC
過去,由于無法獲得高溫IC,石油和天然氣等行業(yè)的高溫電子設(shè)備設(shè)計師只能使用遠(yuǎn)高于額定規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)溫度器件。有些標(biāo)準(zhǔn)溫度的IC確實能在高溫下工作,但是使用起來非常困難,并且十分危險。例如,工程師必須確定可能選用的器件,充分測試并描述其溫度性能,并驗證其長期可靠性。器件的性能和壽命經(jīng)常會大幅遞減。
這一過程充滿挑戰(zhàn)且昂貴耗時:
器件驗證需要用高溫印刷電路板(PCB)和設(shè)備在實驗室烤箱中進(jìn)行測試,測試時間至少應(yīng)達(dá)到任務(wù)剖面所需的時間。由于可能面臨新的故障機(jī)制,測試速度很難加快。測試過程中如出現(xiàn)故障,需要再次選擇器件并經(jīng)過長期測試,從而延長項目時間。
數(shù)據(jù)手冊規(guī)格之外的工作情況無法獲得保證,性能可能隨器件批次而變化。具體而言,IC工藝變化會在溫度時導(dǎo)致意外故障。
針對高溫設(shè)計并通過認(rèn)證的IC
幸運(yùn)的是,憑借近的IC技術(shù),能夠保證以數(shù)據(jù)手冊規(guī)格在高溫下可靠工作的器件已經(jīng)問世。工藝技術(shù)、電路設(shè)計和布局技術(shù)均有所發(fā)展。
要想在高溫條件下順利工作,必須能夠同時管理多個關(guān)鍵器件特性。其中一項重要也是為人熟知的挑戰(zhàn)是因為襯底漏電流上升而產(chǎn)生。其他因素包括載流子遷移率, 下降、VT, β, 和 VSAT, 等器件參數(shù)變化、金屬互連電子遷移增加,以及電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度下降。6雖然標(biāo)準(zhǔn)硅可以在125°C以上的軍用溫度要求下正常工作,7但每上升10°C,標(biāo)準(zhǔn)硅工藝中的泄露就會增加一倍,許多精密應(yīng)用都不能接受這一情況。
溝道隔離、絕緣硅片 (SOI)和標(biāo)準(zhǔn)硅工藝中的其他變化都會大大降低泄露,使高性能工作溫度遠(yuǎn)高于200°C。圖5所示為SOI雙極性工藝減少泄露區(qū)域的過程。碳化硅(SiC)之類的寬帶隙材料會使性能進(jìn)一步提升,實驗室研究顯示,碳化硅IC可在高達(dá)600°C下工作。但是,SiC是一種新型的工藝技術(shù),目前市場上只有功率開關(guān)之類的簡單器件。
儀表放大器:用于地下鉆探的儀表放大器需要具備高精度,以便放大常見噪聲環(huán)境中的微弱信號。這種放大器通常是測量前端的個器件,因此,其性能對整個信號鏈的信能至關(guān)重要。
ADI公司開發(fā)團(tuán)隊從一開始就選定AD8229儀表放大器用于高溫工作環(huán)境,且始終針對這一目的進(jìn)行設(shè)計。為了滿足其*的性能要求,還選用了專有的SOI雙極性工藝技術(shù)。設(shè)計人員采用了特殊電路技術(shù),以保證能夠在各種器件參數(shù)下工作,例如基極-發(fā)射極電壓和正向電流增益。
IC布局也會顯著影響AD8229的性能和可靠性。為了在整個溫度范圍內(nèi)維持低失調(diào)和高共模抑制比(CMRR),布局應(yīng)補(bǔ)償互連和溫度系數(shù)的變化。此外,仔細(xì)分析關(guān)鍵部分的電流密度可以降低電子遷移的影響,并提升條件下的可靠性。同樣,設(shè)計人員還會預(yù)測故障條件,以防止過早擊穿。
憑借魯棒的工藝、電路設(shè)計和布局技術(shù),器件可以滿足整個溫度范圍內(nèi)嚴(yán)苛的精度和可靠性要求。
封裝考慮因素
高溫功能化硅的采用只相當(dāng)于完成了一半的工作。在高溫下進(jìn)行芯片封裝并將其連接至PCB絕非易事。高溫時許多因素都會影響封裝完整性。
芯片粘著 材料可以確保將硅連接至封裝或基板。許多在標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍能夠穩(wěn)定使用的材料都具有較低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(TG),不適合在高溫下工作。對芯片、芯片粘著材料和基板的熱膨脹系數(shù)(CTE)進(jìn)行匹配時需要特別注意,以防止芯片在寬溫度范圍內(nèi)反復(fù)工作時受到應(yīng)力或斷裂。芯片上即便受到少量的機(jī)械應(yīng)力,也可能會導(dǎo)致電氣參數(shù)發(fā)生變化,達(dá)到精密應(yīng)用不可接受的水平。對于需要采用熱連接和電氣連接連接至封裝基板的功率器件,可能需要使用金屬芯片粘著材料。
線焊是芯片和引腳互連的一種方法,這種方法是在芯片表面上從引腳架構(gòu)至焊盤用金屬線連接。對高溫下的線焊可靠性而言,線所用金屬與焊盤金屬化層的兼容性是一大問題。由于焊接金屬兼容性差產(chǎn)生的故障有兩方面,一方面是邊界接口的金屬間化合物 (IMC)生長,這會導(dǎo)致焊接易碎;另一方面是擴(kuò)散(柯肯達(dá)爾效應(yīng)),這會在接口處產(chǎn)生空洞,減小焊接強(qiáng)度并增加其電阻。遺憾的是,業(yè)界常見的金屬組合之一(金線和鋁焊盤金屬化層)在高溫時就容易產(chǎn)生上述現(xiàn)象。
高溫焊接失敗后出現(xiàn)了明顯的金/鋁金屬間化合物生長和柯肯達(dá)爾空洞。更糟的是,溴和氯等鹵素(時見于塑封材料)在高溫時也會引起邊界接口腐蝕,加速焊接失?。ㄐ叶鴺I(yè)界已轉(zhuǎn)用“綠色”無鹵素塑封材料)。因此,焊線和焊盤Best采用相同金屬(單金屬焊接),以避免上述不良影響。如果不能采用相同金屬,工程師應(yīng)當(dāng)選擇IMC生長和擴(kuò)散率足夠慢的金屬,以保證在所需的壽命內(nèi)可靠使用。
IC封裝也必須能夠承受惡劣環(huán)境下施加的應(yīng)力。塑料封裝盡管達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),但傳統(tǒng)上只能在150°C的額定溫度下持續(xù)使用。隨著近期高溫應(yīng)用日益受到關(guān)注,研究表明,這一額定溫度可增至175°C,但只能持續(xù)較短時間。從封裝結(jié)構(gòu)來看,175°C是某些材料(如塑封材料)超過玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度點。在TG以上溫度工作會使關(guān)鍵參數(shù)(如CTE和彎曲模量)產(chǎn)生顯著機(jī)械變化,并因熱應(yīng)變引起分層及開裂等焊接失敗現(xiàn)象。
因此,高溫應(yīng)用時Best選用密封陶瓷封裝。密封可以防止導(dǎo)致腐蝕的濕氣和污染進(jìn)入。遺憾的是,密封封裝通常較大較重,且價格比同類塑料封裝貴得多。在溫度要求(< 175°C)較少的應(yīng)用中,Best采用塑料封裝,可以減少PCB面積、降低成本,或是提供更好的振動順應(yīng)性。對需要采用密封封裝和高器件密度的系統(tǒng)而言,高溫多芯片模塊是一種比較合理的解決方案。然而,這種方案需要提供已知合格芯片。
封裝引腳配置和金屬化情況也必須加以評估。表面貼裝器件質(zhì)量僅取決于焊盤面積以及銅層和預(yù)浸材料之間的粘結(jié)質(zhì)量。另一方面,通孔DIP配置(業(yè)界可靠的封裝之一)也可提供魯棒的沖擊和振動性能。情況下,要想進(jìn)一步提升連接強(qiáng)度,還可以彎曲電路板底側(cè)引腳,并將其“釘”在PCB上,但是,通孔引腳排列不允許電路板低側(cè)的組件密集分布,這可能是空間限制嚴(yán)格的井下儀器等應(yīng)用面臨的一大問題。
許多情況下,鷗翼SMT引腳配置是一種可行的替代方法,但是,無引腳SMT在許多高溫環(huán)境下面臨高沖擊和振動時不夠魯棒。采用SMT器件時,設(shè)計人員應(yīng)當(dāng)考慮其高度和質(zhì)量。采用高溫環(huán)氧樹脂可以提高連接魯棒性,但是會增加制造成本,加大維修難度。在所有情況下,引腳金屬化層都必須兼容高溫焊料。
常見的標(biāo)準(zhǔn)焊料合金熔點低于200°C。但是,有一些現(xiàn)成的合金可以列入“高熔點”(HMP)合金,其熔點遠(yuǎn)高于250°C。即便在這些情況下,對任何受應(yīng)力影響的焊料而言,其Highest推薦工作溫度也比其熔點低40°C左右。例如,標(biāo)準(zhǔn)HMP焊料合金由5%的錫、93.5%的鉛和1.5%的銀組成,熔點為294°C,但其推薦工作溫度僅為255°C。9注意,BGA(球柵數(shù)組)封裝有工廠粘結(jié)的焊料球,熔點可能不會太高。
后,PCB本身也可能是焊接失敗的原因。標(biāo)準(zhǔn)FR4材料在130°C至180°C時可在任意位置發(fā)生玻璃化轉(zhuǎn)變,依具體成分而定。如果在該溫度以上使用(即使時間較短),也會出現(xiàn)擴(kuò)散和分層。聚酰亞胺是一種可靠的替代材料(Kapton中就采用了這種材料),其TG高達(dá)250°C,具體依成分而定。但是,聚酰亞胺的吸濕性*,可能會使PCB由于各種機(jī)制迅速出現(xiàn)故障,因此,控制其在濕氣中的暴露至關(guān)重要。近些年來,業(yè)界引進(jìn)了吸濕性較小且能在高溫時保持完整的新型層壓材料。
驗證、認(rèn)證與測試
在實驗室驗證高溫器件并非易事,因為工程師需要綜合上述各項技術(shù)才能在溫度下測試器件性能。除了在建造測試夾具時采用特殊材料外,測試工程師還必須謹(jǐn)慎操作環(huán)境試驗箱,使系統(tǒng)調(diào)整至所需的溫度變化。由于膨脹系數(shù)不匹配,快速溫度變化會對PCB板上的焊點造成損害,產(chǎn)生翹曲變形,并終使系統(tǒng)過早出現(xiàn)故障。業(yè)界采用的原則是將溫度變化率保持在每分鐘3°C以下。
為了加快壽命與可靠性測試過程,在高溫下測試電子器件是一種可以接受的方法。這里需要引入一個加速系數(shù)α,根據(jù)Arrhenius方程計算:
其中Ea為激活能,k為玻爾茲曼常數(shù),Ta為使用時的預(yù)期工作溫度,Ts為應(yīng)力溫度。雖然加速老化問題對標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品影響不大,但是,應(yīng)力溫度遠(yuǎn)高于額定溫度可能會引起新的故障機(jī)制,并導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確。因此,為保證AD8229等高溫器件的終身可靠性,需要在210°C的Highest額定溫度下進(jìn)行為期1000小時(大約六周)的高溫工作壽命 測試(HTOL)。在低溫情況下,預(yù)期壽命可以采用的加速度關(guān)系進(jìn)行預(yù)測。
塑料封裝只在不超過約175°C時保持魯棒,且工作壽命減少。在這一溫度限值附近,如果不進(jìn)行昂貴耗時的實驗室故障分析,很難區(qū)分故障是因封裝還是硅材料引起的。陶瓷封裝的標(biāo)準(zhǔn)器件供貨較為稀缺。
惡劣環(huán)境下使用的器件通常不僅要能承受高溫,還要能承受沖擊和振動。許多工程師都喜歡采用帶引腳的封裝(如DIP或鷗翼SMT),因為這些封裝可以為PCB提供更加魯棒的安裝。由于其他行業(yè)傾向于小型無引腳封裝,會進(jìn)一步限制器件的選擇。
Best采用裸片形式的器件,尤其是在器件只提供塑料封裝的情況下。然后,芯片可以采用符合高溫的密封封裝或多芯片模式重新封裝。但是,能夠在高溫下工作的器件原本就不多,能夠通過測試的芯片就更少。
由于時間和測試設(shè)備限制,業(yè)界工程師可能傾向于將器件的條件限制在特定的應(yīng)用電路中,而不是涵蓋所有的關(guān)鍵器件參數(shù),使器件難以不經(jīng)進(jìn)一步測試便重新用于其它項目。
數(shù)據(jù)手冊未列出的關(guān)鍵IC屬性(如金屬互連的電子遷移)可能在高溫時引起故障。